电容耦合等离子体化学气相沉积系统二维射频放电及薄膜制备工艺的研究

• 作者: 丁建宁 袁宁一 赵亚芝 陈明明
• 来源期刊: 常州大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 等离子体化学气相沉积 二维自适应模型 电子密度 沉积速率
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 所属期刊栏目: 材料科学与工程
• 页码范围: 5-10
• 分类号: O441.539
• 字数: 3806字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.2095-0411.2012.02.002

摘要

通过建立二维自适应模型,对等离子体化学气相沉积系统反应室中SiH4/H2在射频辉光放电条件下的多物理场进行仿真模拟,模拟结果显示:当射频功率和硅烷体积分数增大时,极板间电子密度增大,薄膜沉积速率也随之加快,但沉积的均匀性变差.结合利用该PECVD设备制备的薄膜微结构和沉积速率测试结果,得出射频功率为80W,SiH4体积分数为1％时,薄膜的平均晶粒大小和晶化率最大,薄膜沉积速率较快且均匀性较好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	丁建宁	常州大学低维材料与微纳器件中心	66	95	5.0	6.0
3	袁宁一	常州大学低维材料与微纳器件中心	35	38	4.0	5.0
9	陈明明	常州大学低维材料与微纳器件中心	1	0	0.0	0.0
10	赵亚芝	常州大学低维材料与微纳器件中心	1	0	0.0	0.0