PVT法掺钒SiC单晶生长电阻率变化规律研究

• 作者: 冯玢 吴华 杜萍 洪颖 王磊 郭俊敏
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: SiC 电阻率 均匀性 COREMA SIMS
• 年，卷（期）: 2012,（6）
• 所属期刊栏目: 材料制备工艺与设备
• 页码范围: 31-34
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.053
• 字数: 2766字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4507.2012.06.009

摘要

在采用COREMA方法测试SiC晶片电阻率时发现同一晶片电阻率相差较大．主要体现在高阻（〉10^5Ω·cm量级）和低阻（〈10^5量级）并存，有的甚至超高阻（〉10^12量级）和低阻并存，针对这一测试结果，开展了相关的实验研究，SiC单晶半绝缘性能的实现是通过在单晶生长过程中掺入深能级杂质V来补偿浅施主N和浅受主B，利用二次质谱（SIMS）对同一晶片不同区域的杂质元素V、N和B含量进行测试，结果发现晶片中v和N的含量都在1×10^17量级时会出现同一晶片不同区域电阻率相差较大的情况，而当V含量在1×10^17量级，N含量在5×10^16量级以下时，可制备电阻率均匀性好的半绝缘SiC单晶。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	洪颖	中国电子科技集团公司第四十六研究所	15	36	3.0	5.0
2	冯玢	中国电子科技集团公司第四十六研究所	14	26	3.0	4.0
3	王磊	中国电子科技集团公司第四十六研究所	76	167	6.0	10.0
4	郭俊敏	中国电子科技集团公司第四十六研究所	5	0	0.0	0.0
5	吴华	中国电子科技集团公司第四十六研究所	10	11	2.0	3.0
6	杜萍	中国电子科技集团公司第四十六研究所	1	0	0.0	0.0