PVT法SiC单晶生长传热分析

• 作者: 倪代秦 吴星 朱丽娜 李河清 胡伯清 陈小龙
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 晶体生长 SiC 传热
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 页码范围: 510-515
• 页数: 6页
• 分类号: O782
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2004.04.010

摘要

研究了PVT法生长SiC过程中的传热行为,以优化生长条件、获得高质量单晶.该研究是针对坩埚盖(籽晶粘附于坩埚盖上)和炉盖之间的传热行为进行的.研究认为,坩埚盖上部石墨毡开孔形状和大小对坩埚盖的径向温度场有很大影响.采用本文简化的模型可以估算坩埚在不同位置下、不同的石墨毡开孔形状和大小时坩埚盖和炉盖之间总的辐射热阻和传热量.对影响坩埚盖和炉盖之间传热的因素进行了讨论.另外,讨论了在生长过程中动态调整坩埚盖散热条件的可行性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈小龙	中国科学院物理研究所	21	80	6.0	7.0
2	吴星	中国科学院物理研究所	12	143	6.0	11.0
3	倪代秦	中国科学院物理研究所	2	16	2.0	2.0
4	胡伯清	中国科学院物理研究所	2	7	1.0	2.0
5	李河清	中国科学院物理研究所	1	7	1.0	1.0
6	朱丽娜	中国科学院物理研究所	3	14	2.0	3.0