粗硅的氧化精炼

• 作者: 刘大春 戴永年 杨斌 栗曼 马文会 魏钦帅
• 来源期刊: 昆明理工大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶硅 氧化法 吹炼 等离子气 H2/O2比
• 年，卷（期）: 2012,（6）
• 所属期刊栏目: 有色金属冶金科学与技术
• 页码范围: 12-20
• 页数: 9页
• 分类号: TF89
• 字数: 6170字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-855x.2012.06.003

摘要

冶金法精炼硅制多晶硅(6N),供太阳能电池使用,其成本可能较低而受到关注.冶金法中重要的一步是氧化法,它将粗硅中的杂质氧化成化合物的自由能(△G)位低的全部或部分除去,如Al、Ca、Ti、B、C等.氧化精炼硅用的方法有炉中吹炼、等离子吹炼；吹的气体有氩气、氮气、氧气、空气、H2O、CO2和氢气等.本文将研究工作和工厂实践集中归纳,力图明晰氧化法精炼硅的规律,以利于进一步深入研究和生产实践.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨斌		141	1196	18.0	29.0
2	戴永年		225	2103	22.0	33.0
3	刘大春		41	319	11.0	16.0
4	马文会		125	1141	17.0	29.0
5	魏钦帅		8	15	2.0	3.0
6	栗曼		2	1	1.0	1.0