基于硅纳米线缺陷辅助隧穿肖特基二极管研究

• 作者: 张健 王志亮
• 来源期刊: 南通大学学报：自然科学版
• 学科: 工学
• 关键词: 硅纳米线 缺陷辅助隧穿 肖特基二极管 电流传输
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 电子信息工程与计算机科学
• 页码范围: 1-5
• 页数: 5页
• 分类号: TN311.7
• 字数: 1174字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-2340.2012.01.001

摘要

介绍了铂（Pt）/p型硅纳米线（p-SiNWs）肖特基二极管的制备方法,在300~370 K温度范围内,测量了Pt/p-SiNWs肖特基二极管I-V特性.根据热发射（TE）、产生-复合（GR）,隧穿（TU）和漏电流（RL）理论模型,拟合了肖特基二极管电流传输机制,拟合结果说明Pt/p-SiNWs肖特基二极管中电流传输机制为缺陷辅助隧穿机制.此外,根据实验数据计算了肖特基二极管主要特征参数,二极管理想因子n随温度升高而减小,势垒高度Φb0随温度升高而增加,并且隧穿参数E0不随温度而变化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张健	华东师范大学信息科学技术学院	88	357	8.0	15.0
2	王志亮	华东师范大学信息科学技术学院	1	0	0.0	0.0