管式PECVD射频功率对氮化硅薄膜性能的影响

• 作者: 任现坤 刘鹏 姜言森 张春艳 张黎明 徐振华 程亮 贾河顺 马玉英
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化硅 转化效率 射频功率 致密性 少子寿命
• 年，卷（期）: 2012,（6）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 853-855,862
• 分类号: TN304.054
• 语种: 中文

摘要

氮化硅薄膜作为传统的晶体硅太阳电池钝化减反膜,其性能的变化直接影响电池的转化效率。通过改变管式PECVD的射频功率,制备了不同膜厚和折射率的氮化硅薄膜,并分别进行了薄膜致密性以及硅片镀膜后少子寿命的测试。实验及测试结果表明,改变PECVD的射频功率对氮化硅薄膜的沉积速率及其薄膜的性能有重要影响。