篇名 | 3 - 26 Threshold Ion Range for Accurate Single Event Upset Measurementin SO1 SRAM Devices | ||
来源期刊 | 中国科学院近代物理研究所和兰州重离子研究装置年报:英文版 | 学科 | 工学 |
关键词 | 单粒子翻转 离子 SRAM 阈值 器件 倒装芯片封装 金属化层 集成电路 | ||
年,卷(期) | 2012,(1) | 所属期刊栏目 | |
研究方向 | 页码范围 | 116-116 | |
页数 | 1页 | 分类号 | TN303 |
字数 | 语种 | ||
DOI |