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Adsorption characteristics of copper ion on nanoporous silica
Nanoporous silica
Copper ion
Adsorption
低功耗绝热SRAM
绝热电路
低功耗
SRAM
VLSI设计
SOI SRAM测试研究
绝缘体上硅(SOI)
部分耗尽(PD)
静态存储器
故障模型
测试码
SO2-4/TiO2-MoO3-La2O3催化合成环己酮1,2-丙二醇缩酮
环己酮1,2-丙二醇缩酮
固体超强酸SO2-4/TiO2-MoO3-La2O3
催化
缩酮反应
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
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文献信息
篇名 3 - 26 Threshold Ion Range for Accurate Single Event Upset Measurementin SO1 SRAM Devices
来源期刊 中国科学院近代物理研究所和兰州重离子研究装置年报:英文版 学科 工学
关键词 单粒子翻转 离子 SRAM 阈值 器件 倒装芯片封装 金属化层 集成电路
年,卷(期) 2012,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 116-116
页数 1页 分类号 TN303
字数 语种
DOI
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2012(0)
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研究主题发展历程
节点文献
单粒子翻转
离子
SRAM
阈值
器件
倒装芯片封装
金属化层
集成电路
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
中国科学院近代物理研究所和兰州重离子研究装置年报:英文版
年刊
兰州市城关区南昌路509号
出版文献量(篇)
4411
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