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如何保证集成电路的测试质量
集成电路测试
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CMOS集成电路的ESD设计技术
互补金属氧化物半导体
集成电路
静电放电
技术
设计
CMOS集成电路中电源和地之间的ESD保护电路设计
互补型金属氧化物集成电路
静电放电
保护电路
电源和地
CMOS集成电路的抗辐射设计
CMOS集成电路
抗辐射加固
总剂量效应
单粒子效应
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 如何保护集成电路布图设计
来源期刊 家电科技 学科 工学
关键词
年,卷(期) 2012,(2) 所属期刊栏目 知识产权
研究方向 页码范围 46-47
页数 分类号 TN402
字数 3775字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1672-0172.2012.02.016
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 单兴山 9 7 1.0 2.0
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
家电科技
双月刊
1672-0172
11-4824/TM
大16开
北京市宣武区下斜街29号
2-129
1981
chi
出版文献量(篇)
9328
总下载数(次)
11
总被引数(次)
7982
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