射频等离子体功率参数对硅基发光薄膜生长与结构的影响

• 作者: 张菁 徐金洲 杨沁玉 王德信 石建军 邵宇光 郭颖
• 来源期刊: 东华大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 射频等离子体化学气相沉积(RF-PECVD) 硅基发光薄膜 生长与结构
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 所属期刊栏目: 纤维与材料工程
• 页码范围: 123-128
• 分类号: O539
• 字数: 2493字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-0444.2012.02.002

摘要

采用射频等离子体化学气相沉积(RF-PECVD)技术,以SiH4和Ar的混合气体为源气体,在石英玻璃衬底上制备了硅基发光薄膜.利用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和傅里叶红外光谱(FTIR)对薄膜的形貌、结构和性能进行了表征,并利用发射光谱(OES)对薄膜等离子体生长过程进行了分析.研究结果表明,随着射频功率的增加,等离子体发射光谱中Hβ谱线强度激增,薄膜的红外光谱中Si-O键在1 095 cm-1处振动吸收峰强度减小,Si-Si键在613 cm-1处特征吸收峰强度增加,说明射频功率增加加剧了硅烷的裂解与氧化硅的还原,提高了薄膜结晶度和纳米晶粒的融合度,并降低了沉积薄膜的表面粗糙度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭颖	东华大学理学院	31	98	5.0	8.0
2	杨沁玉	东华大学理学院	10	49	4.0	6.0
3	张菁	东华大学理学院	41	254	9.0	14.0
4	王德信	东华大学理学院	4	7	2.0	2.0
5	石建军	东华大学理学院	23	31	3.0	4.0
6	徐金洲	东华大学理学院	8	33	3.0	5.0
7	邵宇光	东华大学理学院	1	1	1.0	1.0