ARM和GLOBALFOUNDRIES联手研发20nm移动芯片

• 来源期刊: 中国集成电路
• 学科: 工学
• 关键词: ARM 移动芯片 研发 FinFET 合作协议 优化设计 台积电 节点
• 年，卷（期）: 2012,（9）
• 所属期刊栏目: 业界要闻
• 页码范围: 5-5
• 页数: 1页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文

摘要

ARM和GLOBALFOUNDRIES日前宣布，双方将联手研发20nm工艺节点和FinFET技术。ARM之前和台积电进行了紧密合作，在最近发布了若干使用台积电28nm工艺节点制作的硬宏处理器。但ARM日前又和GLOBALFOUNDRIES签订了合作协议，旨在为后者即将推出的、使用FinFET技术的20nm工艺节点开发SoC优化设计。