整平剂及电流密度对电子封装用铜微凸点电镀的影响

• 作者: 孙江燕 孙红旗 曹海勇 李明 李超 韩赢
• 来源期刊: 电镀与涂饰
• 学科: 工学
• 关键词: 铜微凸点 电镀 整平剂 电子封装 表面形貌
• 年，卷（期）: 2012,（12）
• 所属期刊栏目: 电子电镀
• 页码范围: 28-32
• 页数: 5页
• 分类号: TQ153.14
• 字数: 3249字
• 语种: 中文

摘要

研究了宏观整平剂、微观整平剂及电流密度对铜微凸点表面平整性的影响,探讨了2种整平剂和电流密度对铜微凸点表面的作用机制.镀液组成和工艺参数为:CuSO475 g/L,H2SO4100 g/L,Cl-50 mg/L,整平剂H和W0～10 mg/L,(25±2)℃,60 r/min,1～8A/dm2,35 min.结果表明,宏观整平剂可促进铜的沉积,微观整平剂则可抑制铜的沉积,二者相互配合可改变电镀过程中镀孔的电力线分布,使电流密度分布均匀.在一定范围内提高电流密度可加快铜微凸点的生长.在6 A/dm2下,2种整平剂的质量浓度均为5 mg/L时,可制得结晶细腻、表面平整的铜微凸点.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李明	上海交通大学材料科学与工程学院	147	815	15.0	22.0
2	孙江燕		10	71	5.0	8.0
3	李超	上海交通大学材料科学与工程学院	113	605	14.0	20.0
4	孙红旗		5	9	2.0	3.0
5	韩赢	上海交通大学材料科学与工程学院	1	3	1.0	1.0
6	曹海勇	上海交通大学材料科学与工程学院	2	6	2.0	2.0