晶片级封装的无源元件制造

• 作者: 圣力（校） 薛蕙（编译）
• 来源期刊: 磁性元件与电源
• 学科: 工学
• 关键词: 晶片级封装(WLP) 片上(on—chip)电感器 天线 铁氧体
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 页码范围: 151-154
• 页数: 4页
• 分类号: TN405.94

摘要

文章介绍采用晶片级封装（WLP）技术制造高性能无源元件之片上电感器和片上天线的工艺过程：使用电镀方法电镀出较厚的铜（Cu）膜，在膜上进行二次布线（以减小电阻值），并用较厚的树脂薄膜把电感器与硅基片进行隔离，从而组成无源元件。这种元件性能优良，如片上电感器在F=2GHz时，L=5nH，Q-30；而且，Si基片对片上电感器性能的影响仅为传统电感器的十分之一。为了增加这种电感器的电感值L，还制作了在晶片上添加一层铁氧体膜的电感器。关于晶片级封装的片上天线，以300mW的信号传输功率达到片上天线与传输模块间的最大范围的通信距离，在接收功率为10μw时可超过400mm。这项技术与实际的芯片尺寸封装（CSP）结合，即可获得高性能的片上封装无源元件。