宏力半导体宣布成功建立国内首个0．18μm

• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体制造 国内 宏 嵌入式闪存 差异化 漏电
• 年，卷（期）: 2012,（7）
• 所属期刊栏目: 行业快讯
• 页码范围: 58-58
• 页数: 1页
• 分类号: TN305
• 字数: 1275字
• 语种: 中文

摘要

上海宏力半导体制造有限公司（以下简称“宏力半导体”），专注于差异化技术的半导体制造领先企业，宣布成功建立国内首个0．18μm“超低漏电”（Ultra—Low-Leakage，ULL）嵌入式闪存工艺平台。