碳化硅薄膜制备影响因素分析

• 作者: 王彭
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅薄膜 制备 影响因素
• 年，卷（期）: 2012,（8）
• 所属期刊栏目: 光电·材料
• 页码范围: 82-85
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.25
• 字数: 3061字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-7820.2012.08.027

摘要

碳化硅薄膜因其具有一系列优异的特性，被视为制作电子元件的重要材料，性能好、用途广。高质量SiC薄膜的生长，不仅有利于解决自补偿问题，而且有利于解决薄膜中存在应力和杂质等问题，对SiC薄膜的应用，特别是在微电子器件上的应用尤为关键。因此如何制作高质量的碳化硅薄膜是亟待解决的问题。为此，文中从大量试验中，找出了其主要影响因素；从衬底负偏压、工作温度和衬底温度、工作介质、射频功率、工作气压、沉积时间、Gr几个方面进行分析，得出了制备碳化硅薄膜的影响规律。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王彭	澳洲国立大学工程学院	1	6	1.0	1.0