常压下金催化硅纳米线生长实验研究

• 作者: 于蕾 凌晨晓骥 崔益民 闫帅 马昕瑶
• 来源期刊: 大学物理实验
• 学科: 工学
• 关键词: 硅纳米线 常压 SLS生长机制
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 页码范围: 1-4
• 分类号: TB383
• 字数: 2293字
• 语种: 中文

摘要

采用固液固(SLS)生长机制,研究常压下金催化硅纳米线的制备方法.实验中将硅基Au薄膜在氩氢气中退火,退火温度为1050℃和1080℃,退火完成后在扫描电镜下观察硅片表面的形貌变化,分析不同退火温度、通气量和金膜厚度下的实验结果,并在此基础上进一步讨论了各变量对硅纳米线的生长影响及其机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	崔益民		10	53	2.0	7.0
2	于蕾		3	13	2.0	3.0
3	凌晨晓骥		1	1	1.0	1.0
4	马昕瑶		1	1	1.0	1.0
5	闫帅		1	1	1.0	1.0