功率谱密度分析在IGBT模块缺陷诊断中的应用

• 作者: 吴军科 周生奇 周雒维 孙鹏菊
• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘栅双极晶体管 缺陷诊断 功率谱密度
• 年，卷（期）: 2012,（7）
• 所属期刊栏目: 变换器及器件
• 页码范围: 49-51
• 页数: 3页
• 分类号: TN32
• 字数: 2186字
• 语种: 中文

摘要

目前,绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块逐渐成为电力电子装置中的主导器件,及早发现其内部缺陷,是避免突发故障的关键举措之一,对增强电力电子装置运行可靠性具有重要意义.为此,提出一种基于门极充电初始阶段电压信号功率谱密度分析的IGBT模块内部缺陷识别方法.该方法建立在IGBT模块运行过程中因经受电、热应力累积而导致门极寄生参数变化的基础上,通过分析门极电压信号功率谱密度的变化,来判断模块内部是否存在缺陷.实验结果验证了其诊断结论的正确性和实用性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周雒维	重庆大学输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室	166	2243	26.0	40.0
2	吴军科	重庆大学输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室	10	180	6.0	10.0
3	孙鹏菊	重庆大学输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室	37	300	11.0	16.0
4	周生奇	重庆大学输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室	7	38	4.0	6.0