基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
在真空或惰性气体中制备的硅量子点发光很弱,硅量子点表面被氢较好钝化后的发光也不强.硅量子点表面的硅氧键或硅氮键能破坏这种钝化并在带隙中形成局域电子态,在局域电子态对应的激活中心有很强的发光.可以用这种方式构建发光物质,控制硅量子点表面的键合可获得不同波长的发光.在硅量子点的发光激活处理过程中,退火是很重要的环节.对于硅量子点发光激活的机理,本文给出了相应的物理模型.实验证明,在600和700nm波长附近观察到了激活硅量子点的受激发光,在1500nm到1600nm波长范围观察到了激活硅量子点的较强发光.
推荐文章
多孔硅的能带变化及光致发光的研究
多孔硅
退火
量子限制模型
混合溶剂中十八胺含量对CdSe量子点发光性能的影响
高温溶剂法
量子点
量子效率
CdSe
十八胺
多重量子阱光致发光及表面本征态数值分析
多孔硅
量子阱
光致发光
本征态
考虑量子效应的FinFET栅电容物理模型研究
FinFET
量子效应
栅电容
物理模型
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 硅量子点发光的激活及其物理模型研究
来源期刊 物理学报 学科 物理学
关键词 发光的激活 硅量子点 局域态
年,卷(期) 2012,(21) 所属期刊栏目 电磁学、光学、声学、传热学、经典力学和流体动力学
研究方向 页码范围 237-243
页数 分类号 O471.5
字数 语种 中文
DOI
五维指标
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (0)
参考文献  (0)
节点文献
引证文献  (1)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (0)
2012(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
2015(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
发光的激活
硅量子点
局域态
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
物理学报
半月刊
1000-3290
11-1958/O4
大16开
北京603信箱
2-425
1933
chi
出版文献量(篇)
23474
总下载数(次)
35
总被引数(次)
174683
论文1v1指导