红外光谱法研究射频功率对微晶硅薄膜微结构的影响

• 作者: 陈城钊
• 来源期刊: 光谱实验室
• 学科: 化学
• 关键词: 微晶硅薄膜 射频功率 傅里叶变换红外透射谱
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 页码范围: 537-540
• 分类号: O657.33
• 字数: 1255字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-8138.2012.01.132

摘要

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,在硅衬底上以不同的射频功率生长微晶硅(μc-Si:H)薄膜,利用傅里叶变换红外透射光谱技术对薄膜进行测试.通过对红外透射光谱的高斯拟合分析,结果表明薄膜中的氢含量和硅氢键合模式跟射频功率密切相关；当射频率从30W增加到110W时,薄膜中的氢含量先减少后慢慢增加,而结构因子逐渐增加后再减小,并且硅氢键合模式由以SiH为主转变为以SiH2为主.并讨论了这些参量随射频功率变化的机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈城钊	韩山师范学院物理与电子工程系	23	86	5.0	8.0