一种SOI nLDMOS的开态特性设计

• 作者: 周淼 温恒娟 王猛
• 来源期刊: 电子元器件应用
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘体上的硅SOI 高压器件 开态特性 比导通电阻
• 年，卷（期）: 2012,（11）
• 页码范围: 39-42
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.1

摘要

介绍了一种用于高压电平位移电路的SOInLDMOS器件结构，对其漂移区、sink区、bufferN场板等结构参数进行器件工艺联合仿真，并分析相关结构参数对开态特性的影响，用于指导高压MOS器件尤其是基于SOI的横向MOS器件的开态特性设计。采用优化的参数，器件关态击穿电压为296V，开态击穿电压为265V，比导通电阻为60．9mΩ·cm^2。