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摘要:
为获得电子发射性能优异的含钪钡热钨阴极.采用液固掺杂、掺杂钨粉还原、等静压制、高温烧结、浸渍发射物质等工艺.制备出钪钨基体钡钨热阴极。对该阴极的发射性能测试结果显示,在阴极温度分别为950℃、1050℃、1100℃时,脉冲发射电流密度分别为53.6A/cm^2、65.7A/cm^2、79A/cm^2。分析认为.由于氧化钪均匀地覆盖在钨颗粒的表面,氧化钪与钨接触面增多,使氧化钪与钨的结合力增大,因此该阴极具有均匀性良好的热电子发射,较好的抗离子轰击能力.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 钪钨基体钡钨热阴极发射性能研究
来源期刊 电子元器件应用 学科 工学
关键词 氧化钪 掺杂 钡钨阴极 发射特性 电流密度
年,卷(期) 2012,(11) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 21-24
页数 4页 分类号 TN8
字数 语种
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 祁康成 电子科技大学光电信息学院 65 340 10.0 14.0
2 林祖伦 电子科技大学光电信息学院 76 442 10.0 15.0
3 王小菊 电子科技大学光电信息学院 43 141 9.0 9.0
4 曹贵川 电子科技大学光电信息学院 22 97 5.0 9.0
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研究主题发展历程
节点文献
氧化钪
掺杂
钡钨阴极
发射特性
电流密度
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子元器件应用
月刊
1563-4795
大16开
西安市科技路37号海星城市广场B座240
1999
chi
出版文献量(篇)
5842
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7
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11366
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