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钪钨基体钡钨热阴极发射性能研究
钪钨基体钡钨热阴极发射性能研究
作者:
曹贵川
林祖伦
王小菊
祁康成
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
氧化钪
掺杂
钡钨阴极
发射特性
电流密度
摘要:
为获得电子发射性能优异的含钪钡热钨阴极.采用液固掺杂、掺杂钨粉还原、等静压制、高温烧结、浸渍发射物质等工艺.制备出钪钨基体钡钨热阴极。对该阴极的发射性能测试结果显示,在阴极温度分别为950℃、1050℃、1100℃时,脉冲发射电流密度分别为53.6A/cm^2、65.7A/cm^2、79A/cm^2。分析认为.由于氧化钪均匀地覆盖在钨颗粒的表面,氧化钪与钨接触面增多,使氧化钪与钨的结合力增大,因此该阴极具有均匀性良好的热电子发射,较好的抗离子轰击能力.
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新型压制钡钨阴极性能的研究
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关键词热度
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文献信息
篇名
钪钨基体钡钨热阴极发射性能研究
来源期刊
电子元器件应用
学科
工学
关键词
氧化钪
掺杂
钡钨阴极
发射特性
电流密度
年,卷(期)
2012,(11)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
21-24
页数
4页
分类号
TN8
字数
语种
DOI
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
祁康成
电子科技大学光电信息学院
65
340
10.0
14.0
2
林祖伦
电子科技大学光电信息学院
76
442
10.0
15.0
3
王小菊
电子科技大学光电信息学院
43
141
9.0
9.0
4
曹贵川
电子科技大学光电信息学院
22
97
5.0
9.0
传播情况
被引次数趋势
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引文网络
引文网络
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(0)
共引文献
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参考文献
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节点文献
引证文献
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同被引文献
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二级引证文献
(0)
1994(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2003(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2012(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
氧化钪
掺杂
钡钨阴极
发射特性
电流密度
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子元器件应用
主办单位:
中国电子元件行业协会
出版周期:
月刊
ISSN:
1563-4795
CN:
开本:
大16开
出版地:
西安市科技路37号海星城市广场B座240
邮发代号:
创刊时间:
1999
语种:
chi
出版文献量(篇)
5842
总下载数(次)
7
总被引数(次)
11366
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