水热法制备Si基片状ZnO微晶薄膜

• 作者: 介万奇 刘长友 孙晓燕 王金芳
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 化学
• 关键词: ZnO 硅基底 生长机理
• 年，卷（期）: 2012,（21）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 2917-2920
• 页数: 4页
• 分类号: O611.4|O614.24
• 字数: 1107字
• 语种: 中文

摘要

采用真空蒸镀法在Si（100）基底上制备了六角片状Zn微晶薄膜，并由N2H4·H2O-水热体系制备了Si基片状ZnO微晶薄膜。XRD、SEM及EDS测试与分析结果表明，纤锌矿结构片状Zn0微晶长度约1μm、厚度约100nm，几乎垂直于Si基面，且在基面上随机组合成连续薄膜。联系室温Si基Zn微晶薄膜氧化物形貌，以“氢氧化锌脱水”反应解释了Si基片状ZnO微晶薄膜的生长机制。光致发光谱测试分析表明，ZnO微晶薄膜有强的近带边紫外光发射和弱的缺陷发射。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	介万奇	西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室	272	1636	19.0	27.0
2	孙晓燕	西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室	21	107	5.0	10.0
3	刘长友	西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室	16	78	4.0	8.0
4	王金芳	西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室	3	3	1.0	1.0