FDPC8011S：N沟道模块

• 来源期刊: 世界电子元器件
• 学科: 工学
• 关键词: N沟道MOSFET 模块 飞兆半导体 功率芯片 设计人员 开关频率 Clip 非对称
• 年，卷（期）: 2012,（7）
• 页码范围: 33-33
• 页数: 1页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 1159字
• 语种: 中文

摘要

飞兆半导体公刊推出一款25V、3．3mm×3．3mm低侧高双功率芯片非对称N沟道模块FDPC8011S，帮助设计人员应对这一系统挑战。专为更高的开关频率的应用而开发，在一个采用全Clip封姨内集成1．4mΩSyncFETTM技术和一个5．4mΩ控制MOSFET、低质最因子的N沟道MOSFET，