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摘要:
使用加速器对量子阱半导体激光器进行了总通量1×10-16 cm-2的电子辐照实验. 辐射实验结果表明, 在辐射环境下激光器的输出功率下降、阈值电流增加. 从理论上分析了位移效应对量子阱激光器的影响, 并推导了电子通量与相对阈值电流变化、相对输出功率变化的函数关系式. 该公式的计算结果与实验测试结果符合很好, 有效地反映了电子辐照环境下激光器的性能变化趋势. 该公式可用于预测激光器在辐射环境下的性能变化, 有着较大实际应用价值.
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文献信息
篇名 位移辐射效应对量子阱激光器性能的影响
来源期刊 物理学报 学科 工学
关键词 量子阱激光器 位移损伤 缺陷
年,卷(期) 2012,(21) 所属期刊栏目 电磁学、光学、声学、传热学、经典力学和流体动力学
研究方向 页码范围 273-279
页数 分类号 TN248.4
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 马晶 哈尔滨工业大学可调谐激光技术国防重点实验室 102 1039 17.0 24.0
2 谭立英 哈尔滨工业大学可调谐激光技术国防重点实验室 95 984 16.0 24.0
3 周彦平 哈尔滨工业大学可调谐激光技术国防重点实验室 42 460 12.0 19.0
4 韩琦琦 哈尔滨工业大学可调谐激光技术国防重点实验室 23 213 9.0 13.0
5 车驰 哈尔滨工业大学可调谐激光技术国防重点实验室 2 12 2.0 2.0
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量子阱激光器
位移损伤
缺陷
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期刊影响力
物理学报
半月刊
1000-3290
11-1958/O4
大16开
北京603信箱
2-425
1933
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