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摘要:
采用CSMC 0.18μm混合信号工艺.设计了一款应用于频率综合器的单片集成宽带压控振荡器.电路采用互补交叉耦合结构,各部分都经过精心构架,如管子的尺寸,元件的布局,电流源的大小等等,以获得最佳的相位噪声性能.振荡器采用多段调节的方式,实现1.5~2.1GHz的宽带调谐.仿真结果表明,在电源电压1.8V的情况下,压控振荡器的中心频率为1.8GHz.中心频率附近(600kHz),相位噪声达到-121dBc/Hz,振荡器的工作电流为1.4mA.
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文献信息
篇名 基于CMOS工艺的低相噪宽带压控振荡器设计
来源期刊 电子世界 学科 工学
关键词 压控振荡器 频率综合器 相位噪声
年,卷(期) 2012,(2) 所属期刊栏目 电工研究
研究方向 页码范围 57-58
页数 分类号 TN752
字数 1150字 语种 中文
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1 曹旭 杭州电子科技大学电子信息学院 2 0 0.0 0.0
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压控振荡器
频率综合器
相位噪声
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电子世界
半月刊
1003-0522
11-2086/TN
大16开
北京市
2-892
1979
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