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基于CMOS工艺的低相噪宽带压控振荡器设计
基于CMOS工艺的低相噪宽带压控振荡器设计
作者:
曹旭
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
压控振荡器
频率综合器
相位噪声
摘要:
采用CSMC 0.18μm混合信号工艺.设计了一款应用于频率综合器的单片集成宽带压控振荡器.电路采用互补交叉耦合结构,各部分都经过精心构架,如管子的尺寸,元件的布局,电流源的大小等等,以获得最佳的相位噪声性能.振荡器采用多段调节的方式,实现1.5~2.1GHz的宽带调谐.仿真结果表明,在电源电压1.8V的情况下,压控振荡器的中心频率为1.8GHz.中心频率附近(600kHz),相位噪声达到-121dBc/Hz,振荡器的工作电流为1.4mA.
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CMOS 工艺
一种低相位噪声的CMOS毫米波压控振荡器
压控振荡器
低相噪
负阻
滤波
低相位噪声低功耗LC压控振荡器的设计
压控振荡器
相位噪声
尾电流整形滤波
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文献信息
篇名
基于CMOS工艺的低相噪宽带压控振荡器设计
来源期刊
电子世界
学科
工学
关键词
压控振荡器
频率综合器
相位噪声
年,卷(期)
2012,(2)
所属期刊栏目
电工研究
研究方向
页码范围
57-58
页数
分类号
TN752
字数
1150字
语种
中文
DOI
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
曹旭
杭州电子科技大学电子信息学院
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频率综合器
相位噪声
研究起点
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研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
电子世界
主办单位:
中国电子学会
出版周期:
半月刊
ISSN:
1003-0522
CN:
11-2086/TN
开本:
大16开
出版地:
北京市
邮发代号:
2-892
创刊时间:
1979
语种:
chi
出版文献量(篇)
36164
总下载数(次)
96
总被引数(次)
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