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基底温度对Ti/TiN薄膜内应力的影响
基底温度对Ti/TiN薄膜内应力的影响
作者:
胡敏
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
磁控溅射
多层薄膜
基底温度
薄膜内应力
摘要:
采用反应直流磁控溅射法,在硅基底上制备了一系列不同结构的Ti/TiN多层薄膜.采用X射线衍射仪(XRD)对薄膜物相进行了分析,研究了溅射沉积过程中基底温度对周期薄膜结构及内应力的影响.结果表明:多层薄膜中的Ti出现( 101)面,TiN的(200)面衍射峰强度在基底温度为600℃时最高.随着衬底温度的升高,薄膜内部的压应力逐渐减小,当基底温度在600℃时,薄膜内应力最小.
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文献信息
篇名
基底温度对Ti/TiN薄膜内应力的影响
来源期刊
科学技术与工程
学科
物理学
关键词
磁控溅射
多层薄膜
基底温度
薄膜内应力
年,卷(期)
2012,(26)
所属期刊栏目
物理学
研究方向
页码范围
6743-6745,6749
页数
分类号
O484.1
字数
2489字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1671-1815.2012.26.039
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
胡敏
江西理工大学南昌校区机电工程系
10
25
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传播情况
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多层薄膜
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研究来源
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研究去脉
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期刊影响力
科学技术与工程
主办单位:
中国技术经济学会
出版周期:
旬刊
ISSN:
1671-1815
CN:
11-4688/T
开本:
大16开
出版地:
北京市海淀区学院南路86号
邮发代号:
2-734
创刊时间:
2001
语种:
chi
出版文献量(篇)
30642
总下载数(次)
83
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