超高真空扫描隧道谱实验对碲镉汞室温带隙的直接测定

• 作者: 任秀荣 查访星
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碲镉汞 扫描隧道显微镜 扫描隧道谱 能带带隙 锁相放大技术
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 页码范围: 145-149
• 页数: 5页
• 分类号: TN215
• 字数: 4251字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3724/SP.J.1010.2013.00145

摘要

利用超高真空扫描隧道显微镜的隧道谱实验对汞空位掺杂的液相外延P型碲镉汞材料在室温条件下进行测量,发现直接的电流-电压隧道谱对带隙预言一定程度上要受到成像偏置电压的影响.但当采用了锁相放大测量技术,通过实验直接获取微分隧道谱(dI/dV)信号,并利用电流-电压谱对dI/dV作归一化处理时,最终结果则能较准确、可靠地预言材料的带隙,表明扫描隧道谱方法作为独立于光学方法之外的另一种实验表征手段对碲镉汞能带电子结构研究的适用性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	查访星	上海大学理学院物理系和微结构实验室	4	10	2.0	3.0
3	任秀荣	上海大学理学院物理系和微结构实验室	2	3	1.0	1.0