磁控溅射制备SiC薄膜及其高温抗氧化性

• 作者: 张元元 李合琴 李辉 胡仁杰
• 来源期刊: 材料热处理学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiC薄膜 射频磁控溅射 SiO2 抗氧化性
• 年，卷（期）: 2013,（z1）
• 所属期刊栏目: 表面改性
• 页码范围: 135-138
• 分类号: TG174.44
• 语种: 中文

摘要

用射频磁控溅射法在单晶Si(100)基片上制备了SiC薄膜.将制备的薄膜分别在800、900和1000℃空气气氛中退火120 min.用X射线衍射仪和傅里叶变换红外光谱仪测试了薄膜的结构,用X射线光电子能谱仪测试了薄膜元素的组成和状态,用场发射扫描电子显微镜测试了薄膜表面的形貌.结果表明:经800℃空气退火后,薄膜表面生成了一层SiO2保护层,阻止了内部SiC薄膜的继续氧化,因此SiC薄膜在800℃具有较好的高温抗氧化性；随着退火温度的升高,SiC薄膜被进一步氧化,经1000℃空气退火后,薄膜已大部分转变为SiO2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李辉	合肥工业大学材料科学与工程学院	51	434	11.0	19.0
2	李合琴	合肥工业大学材料科学与工程学院	71	273	8.0	12.0
3	张元元	合肥工业大学材料科学与工程学院	6	22	4.0	4.0
4	胡仁杰	合肥工业大学材料科学与工程学院	3	16	3.0	3.0