基于加速寿命实验的GaN HEMT可靠性研究

• 作者: 许海涛 陈斯文 高晖
• 来源期刊: 现代雷达
• 学科: 工学
• 关键词: GaN功率管 加速寿命实验 可靠性
• 年，卷（期）: 2013,（12）
• 所属期刊栏目: 收/发技术
• 页码范围: 76-79
• 页数: 4页
• 分类号: TN834
• 字数: 3608字
• 语种: 中文

摘要

GaN HEMT的出现,使得有关电子设备性能的大幅度提升成为了可能.为了尽快实现该器件的工程化应用,需要对器件的可靠性进行相关研究.基于阿伦尼乌斯模型对某型号GaN HEMT进行了加速寿命试验,结果显示,该功率管MTTF＞2×106 h(85℃,长脉宽,大占空比).相关结果可为用户开展GaN功率管的可靠性设计等相关研究提供数据支持.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈斯文		6	12	2.0	3.0
2	高晖		2	5	1.0	2.0
3	许海涛		2	7	2.0	2.0