UHF RFID阅读器中SiGe BiCMOS功率放大器的设计

• 作者: 张书霖 阮颖
• 来源期刊: 上海电力学院学报
• 学科: 工学
• 关键词: 功率放大器 SiGe BiCMOS工艺 超高频 阅读器
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 所属期刊栏目: 电子技术
• 页码范围: 238-240,245
• 页数: 4页
• 分类号: TN722.75
• 字数: 2369字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-4729.2013.03.009

摘要

设计了一种工作在860～960 MHz频段内,用于UHF RFID阅读器的单芯片射频功率放大器(PA).概述了PA适用的UHF RFID通信标准和采用的0.18 μm SiGe BiCMOS工艺技术,分析了PA匹配电路和自适应偏置电路的设计方法,给出了PA芯片的电路结构和芯片测试结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张书霖	华东师范大学微电子电路与系统研究所	6	9	2.0	2.0
2	阮颖	上海电力学院电子与信息工程学院	11	37	3.0	5.0