基于SiGe BiCMOS工艺的5 GHz低噪声放大器的设计

• 作者: 张伟 朱武 阮颖
• 来源期刊: 上海电力学院学报
• 学科: 工学
• 关键词: 低噪声放大器 噪声系数 SiGe BiCMOS工艺 无线局域网
• 年，卷（期）: 2013,（5）
• 所属期刊栏目: 电子技术
• 页码范围: 468-471
• 页数: 4页
• 分类号: TN722.3
• 字数: 1292字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-4729.2013.05.014

摘要

基于0.18 μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一款应用于WLAN 802.11频段的低噪声放大器(LNA).采用了共射级的两级级联结构,发射极运用电感负反馈,有效地提高了增益和线性度.仿真结果表明,在5～6GHz工作频段内,小信号增益S21达20.5 dB,噪声系数NF低于2dB,正向传输系数S11小于-19 dB和反向传输系数S22小于-18 dB,实现了较好的输入输出匹配.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱武	上海电力学院电子与信息工程学院	72	419	11.0	17.0
2	张伟	华东师范大学微电子电路与系统研究所	60	418	10.0	19.0
3	阮颖	上海电力学院电子与信息工程学院	11	37	3.0	5.0