AIN对Mg2SiO4晶相结构及介电性能的影响

• 作者: 吴坚强 吴迪 梁云姿 胡海龙 陈琴云 陈镇华
• 来源期刊: 中国陶瓷
• 学科: 工学
• 关键词: 镁橄榄石瓷 AIN添加剂 介电性能 晶体结构
• 年，卷（期）: 2013,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 9-11
• 页数: 3页
• 分类号: TQ174.1
• 语种: 中文

摘要

利用传统的烧结工艺,制备了不同AIN含量的镁橄榄石陶瓷,并研究了AIN组分对Mg2SiO4材料晶相结构以及介电常数和介质损耗的影响.XRD衍射和性能实验结果表明:在1380℃保温时间2h得到了Mg2SiO4和AIN晶体.少量AIN添加剂的加入,提高了Mg2SiO4陶瓷介电性能和体积密度.当AIN添加剂的加入量为2wt％时,得到了介电常数为6.8,介质损耗为4.3x10-4,体积密度为3.05g/cm3的介质材料.