ZnO插层对超薄坡莫合金薄膜各向异性磁电阻的影响

• 作者: 张慧 王书运 王存涛 高垣梅
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 坡莫合金薄膜 各向异性磁电阻 ZnO插层 基片温度
• 年，卷（期）: 2013,（11）
• 所属期刊栏目: 功能薄膜
• 页码范围: 1124-1127
• 分类号: O484.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2013.11.14

摘要

利用多靶磁控溅射系统制备了一系列坡莫合金薄膜样品Ta(4 nm)/ZnO(t)/Ni81Fe19(20 nm)/ZnO(t)/Ta(3 nm),研究了ZnO插层厚度、基片温度对坡莫合金薄膜各向异性磁电阻(AMR)和微结构的影响.利用四探针法测量薄膜样品的AMR值,利用X射线衍射仪分析样品的微结构.结果表明:由于ZnO插层的“镜面反射”作用,选择适当厚度的ZnO插层能够大幅度提高坡莫合金薄膜AMR值,对于厚度为20nm的Ni81Fe19薄膜,在基片温度为400℃时,通过插入2nm厚的ZnO插层使得AMR值较不加插层提高了11％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王书运	山东师范大学物理与电子科学学院	57	450	11.0	19.0
2	张慧	山东师范大学物理与电子科学学院	77	2797	26.0	52.0
3	高垣梅	山东师范大学物理与电子科学学院	9	12	2.0	3.0
4	王存涛	山东师范大学物理与电子科学学院	3	19	3.0	3.0