集成稳压二极管的器件结构和工艺研究

• 作者: 潘光燃 王焜
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 稳压二极管 稳定电压 反向击穿 工艺
• 年，卷（期）: 2013,（7）
• 页码范围: 28-31
• 页数: 4页
• 分类号: TN313+.3
• 字数: 3406字
• 语种: 中文

摘要

在集成电路中，稳压二极管的器件结构和工艺方法有很多种，它们的器件特性、工艺特征、工艺控制方法各不相同。文章对各种集成稳压二极管的结构和工艺方法分别进行了分析和研究，包括稳压二极管的反向击穿点、稳定电压的离散性和热稳定性、工艺集成的便捷性、关键工艺控制点等。通过这些研究，总结了这些稳压二极管的器件结构及其工艺方法各自的利弊，为工程人员设计、研究和开发集成有稳压二极管的技术平台提供了一些参考方向。