氮掺杂Sb2Te3相变材料的脉冲激光沉积法制备与性能研究

• 作者: 吴晓京 周乾飞 张昕 秋沉沉
• 来源期刊: 物理
• 关键词: 相变材料 脉冲激光沉积 N掺杂Sb2Te3 低功耗
• 年，卷（期）: 2013,（12）
• 所属期刊栏目: 研究快讯
• 页码范围: 873-880
• 页数: 8页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7693/wl20131207

摘要

Sb2Te3(ST)薄膜虽然具有高结晶速度和低结晶温度(~132℃)等优点，但由于复位电压过高，无法直接用于制备相变存储器件。文章作者尝试使用脉冲激光沉积法(PLD)制备了氮掺杂的Sb2Te3薄膜。用原子力显微镜(AFM)对此薄膜进行测试的结果表明，脉冲激光沉积法制备的生成态ST薄膜和氮掺杂ST薄膜表面粗糙度分别为0.12 nm和0.58 nm，表面较为平整。研究表明，PLD法制备的氮掺杂ST薄膜具有更好的组分稳定性，可显著提高薄膜低阻态电阻值，降低复位功耗，氮掺杂量在6 at%的ST薄膜的置位电压和复位电压适中，显示出较好的综合性能。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张昕	复旦大学材料科学系	7	83	3.0	7.0
2	吴晓京	复旦大学材料科学系	22	241	5.0	15.0
3	秋沉沉	复旦大学材料科学系	4	18	2.0	4.0
4	周乾飞	复旦大学材料科学系	2	1	1.0	1.0