硅片自旋转磨削表面粗糙度建模与分析

• 作者: 任庆磊 胡伟 董成祥 谢小柱 魏昕
• 来源期刊: 金刚石与磨料磨具工程
• 学科: 工学
• 关键词: 硅片 自旋转磨削 表面粗糙度
• 年，卷（期）: 2013,（6）
• 页码范围: 21-25
• 分类号: TG74|TQ164
• 语种: 中文

摘要

通过对单晶硅材料不同去除机理的研究,分析了单晶硅材料磨削过程中不同去除形式所对应的磨粒去除深度.结合硅片自旋转磨削中砂轮与硅片相对运动特点,分别建立了针对硅片不同材料去除机理的表面粗糙度模型,通过实验对模型进行了对比,结果表明所建立的模型符合实验结果,并得出以下结论:采用自旋转磨削硅片时,表面粗糙度值随砂轮转速和硅片转速的增大而减小,随砂轮轴向进给速度增大而增大,且这三个工艺参数中,砂轮轴向进给速度对硅片表面粗糙度值的影响最大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢小柱	广东工业大学机电工程学院	73	422	11.0	16.0
2	胡伟	广东工业大学机电工程学院	57	313	10.0	14.0
3	魏昕	广东工业大学机电工程学院	111	782	15.0	22.0
4	任庆磊	广东工业大学机电工程学院	13	16	3.0	3.0
5	董成祥	广东工业大学机电工程学院	1	2	1.0	1.0