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摘要:
使用RF-PECVD法分别在基底温度为60℃、120℃和200℃的N型单晶锗表面制备了α-C:H膜,采用拉曼光谱、傅里叶变换红外吸收光谱和原子力显微镜等技术手段研究分析了α-C:H膜的价键组成及表面形貌,讨论了基底温度对α-C:H膜微结构及部分性能的影响.结果表明,在α-C:H膜沉积过程中,基底温度对膜层微观结构有较大影响,基底温度60℃时,膜层表面光滑、致密无石墨化现象.随着基底温度的升高,α-C:H膜中含H量和微晶石墨量逐渐增多,α-C:H膜层性能也逐步退化.
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文献信息
篇名 基底温度对α-C:H膜微观结构的影响
来源期刊 光学与光电技术 学科 物理学
关键词 类金刚石膜 基底温度 微结构 射频增强等离子体化学气相沉积 原子力显微镜
年,卷(期) 2013,(4) 所属期刊栏目 材料与器件
研究方向 页码范围 95-98
页数 分类号 O481.1+1
字数 语种 中文
DOI
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研究主题发展历程
节点文献
类金刚石膜
基底温度
微结构
射频增强等离子体化学气相沉积
原子力显微镜
研究起点
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相关学者/机构
期刊影响力
光学与光电技术
双月刊
1672-3392
42-1696/O3
大16开
武汉市阳光大道717号
38-335
2003
chi
出版文献量(篇)
2142
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3
总被引数(次)
9791
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