多晶硅化学气相沉积数值模拟的研究进展

• 作者: 薛连伟
• 来源期刊: 化工技术与开发
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶硅 化学气相沉积 数值模拟
• 年，卷（期）: 2013,（9）
• 所属期刊栏目: 综述与进展
• 页码范围: 29-32
• 页数: 4页
• 分类号: TQ018
• 字数: 3486字
• 语种: 中文

摘要

介绍了多晶硅气相沉积反应的几何模型和数学模型。回顾了多晶硅沉积反应机理的研究成果。重点综述了近几年国内外还原炉内SiHCl3-H系统三维过程数值模拟的研究进展，并对其评述。讨论了化学气相沉积数值模拟的研究现状和存在的问题,，展望了今后的发展方向。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	薛连伟		2	8	1.0	2.0