浅谈MOSFET产品失效分析及改善措施

• 作者: 周莹 王立国
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 场效应管 失效分析 改善措施
• 年，卷（期）: 2013,（11）
• 所属期刊栏目: 封装工艺与设备
• 页码范围: 26-28,49
• 页数: 4页
• 分类号: TN406
• 字数: 1336字
• 语种: 中文

摘要

阐述了MOSFET产品的应用前景,说明了其封装工艺流程及注意事项,通过对MOSFET电路常见失效现象的分析验证,探讨MOSFET产品的失效机理及其影响,对相应的失效现象制定合理的失效分析方案,确保有效查找失效的具体原因,并对失效原因从设计、工艺和材料选用等方面提出改善措施.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王立国		4	6	2.0	2.0
2	周莹		1	2	1.0	1.0