双极型晶体管非理想效应的Gummel-Poon模型分析及其在IC中的应用

• 作者: 朱世欣 王贵锋
• 来源期刊: 自动化与仪器仪表
• 学科: 工学
• 关键词: 双极型晶体管 Gummel-Poon模型 基区Gummel数 大注入 自建电场
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 页码范围: 101-103
• 分类号: TP216
• 字数: 2934字
• 语种: 中文

摘要

主要研究双极结型晶体管BJT(Bipolar Junction Transistor)的Gummel-Poon模型在集成电路设计中的应用.用Gummel-Poon模型对BJT的一些非理想效应进行定量分析,包括基区非均匀掺杂,基区宽度调制效应,大注入效应,产生-复合作用等.从BJT的基本电流用方程出发,用Gummel-Poon建立起器件性能与材料、结构和工艺参数之间的联系.分析基区多数载流子电荷的作用,建立起器件性能与基区多数载流子电荷的联系.论文中将该模型与现代BJT的典型结构参数和工艺参数结合起来,应用于现代BJT的理论分析之中,通过具体计算给出了应用实例.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王贵锋	兰州理工大学技术工程学院	17	61	5.0	6.0
2	朱世欣	兰州理工大学技术工程学院	8	48	5.0	6.0