450毫米晶圆2018年量产 极紫外光刻紧随

• 作者: 郑冬冬
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 光刻设备 半导体制造 半导体工艺 三星电子 沉浸式 芯片成本 源功率 单次曝光 概念设计 纳米时代
• 年，卷（期）: bdtxx_2013,（3）
• 页码范围: 37-38
• 页数: 2页
• 分类号: TN305

摘要

【正】全球最大的半导体制造设备供应商荷兰ASML近期披露说,他们将按计划在2015年提供450毫米晶圆制造设备的原型,Intel、三星电子、台积电等预计将在2018年实现450毫米晶圆的商业性量产,与此同时,极紫外(EUV)光刻设备也进展顺利,将在今年交付两套新的系统。