提高晶闸管di/dt能力的研究

• 作者: 关艳霞 夏吉夫 潘福泉
• 来源期刊: 变频技术应用
• 学科: 工学
• 关键词: 晶闸管 DI dt能力 放大门极 短路点 扩展速度 强触发
• 年，卷（期）: bpjsyy_2013,（4）
• 页码范围: 49-53
• 页数: 5页
• 分类号: TN34

摘要

从di／dt损坏机制、定量公式入手，分析了国内外有关di／dt的著作、文章，研究了提高晶闸管器件di／dt能力的各种有效方法，给出了一个常规新设计及其研究成果。