新一代宽禁带4H-5iC功率半导体外延材料的产业化进展

• 作者: 俞军 孙国胜 李锡光 王占国 董林 闫果果
• 来源期刊: 军民两用技术与产品
• 关键词: 4H-SiC 外延生长 暖壁行星式外延生长系统 多片
• 年，卷（期）: 2013,（6）
• 所属期刊栏目: 专家观点
• 页码范围: 36-38
• 页数: 3页
• 字数: 1751字
• 语种: 中文

摘要

使用10×100mm暖壁行星式外延生长系统进行了4H-SiC大面积多片外延生长,获得了具有良好掺杂与厚度均匀性的高质量4H-SiC外延晶片.测试结果显示,所制得外延晶片X射线衍射谱最高峰的半高宽为26.74”,具有良好的结晶质量；片内厚度均匀性和片间厚度均匀性分别为0.26％和0.5％,片内掺杂均匀性和片间掺杂均匀性分别为2.6％和3.4％；表面粗糙度为0.2nm；表面缺陷密度小于1cm-2.这表明,该10×100mm暖壁行星式外延生长系统可满足4H-SiC外延晶片的产业化需求,将推动SiC功率器件的发展.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙国胜		28	244	9.0	15.0
3	董林		7	35	4.0	5.0
5	王占国	中国科学院半导体研究所	101	701	15.0	23.0
6	闫果果		2	0	0.0	0.0
12	俞军		1	0	0.0	0.0
15	李锡光		1	0	0.0	0.0