栅极绝缘层和有源层沉积工艺的优化对TFT电学特性的改善

• 作者: 崔子巍 张文余 张金中 田宗民 谢振宇 郭建 闵泰烨 陈旭
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 栅极绝缘层 有源层 沉积条件优化 电学特性 改善
• 年，卷（期）: 2013,（6）
• 所属期刊栏目: 材料物理和化学
• 页码范围: 849-854
• 页数: 6页
• 分类号: TN141.9
• 字数: 2878字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/YJYXS20132806.0849

摘要

对低速沉积的栅极绝缘层和低速沉积的有源层的薄膜沉积条件进行了优化,设定4个实验条件,考察了不同条件下膜层的均匀性,TFT产品的开路电流(I.n)的整体分布规律以及均匀性,Ion的提升比例以及产品的阈值电压,确定条件二为最优条件.对比优化前后产品的栅极偏应力下TFT的转移曲线和高频信号下电容-电压曲线,进一步分析了产品的电学稳定性.研究发现I.n提升了42％,开关比(I.n/I..)提升了约70％,优化后的TFT的稳定性优于优化之前,达到了改善TFT特性的目的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈旭		11	41	4.0	5.0
2	郭建		8	24	3.0	4.0
3	闵泰烨		10	33	4.0	4.0
4	谢振宇		12	62	5.0	7.0
5	张文余		5	19	3.0	4.0
6	张金中		4	13	2.0	3.0
7	田宗民		3	8	2.0	2.0
8	崔子巍		1	1	1.0	1.0