TFT 有源层刻蚀均一性和电学性质的研究

• 作者: 刘杰 李升玄 王守坤 袁剑峰 贠向南 邵喜斌 郑云友 郭会斌 郭总杰
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 薄膜晶体管 加强型阴极耦合等离子体 有源层 非晶硅膜 均一性
• 年，卷（期）: 2015,（5）
• 页码范围: 801-806
• 页数: 6页
• 分类号: TN321.5
• 字数: 3010字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/YJYXS20153005.0801

摘要

对 TFT 制作工艺中,TFT 有源层刻蚀均一性与电学性质进行分析研究。通过扫描电子显微镜,电学测试设备对样品进行分析。结果显示沟道有源层的刻蚀功率,气体比例及刻蚀压强对有源层的刻蚀均一性都有较大影响,并会影响TFT 电学特性的均一性。通过适当降低刻蚀功率及反应气体 SF6/Cl2的比例,同时,降低反应压强,可以改善有源层刻蚀的均一性。从而,TFT 电学特性的均匀性得到优化。