TFT工艺中的反应性离子刻蚀

• 作者: 杨柏梁 柳江虹 梁庆成 袁剑峰
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 反应性离子刻蚀 选择比 TFT器件
• 年，卷（期）: 1999,（1）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 29-33
• 页数: 5页
• 分类号: TN14
• 字数: 2266字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.1999.01.006

摘要

对TFT器件工艺中的反应性离子刻蚀技术进行了研究,给出了TFT器件工艺中常见薄膜刻蚀速率的实验结果,并讨论了掺杂气体(如H2、Ar)对刻蚀速率的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨柏梁	中国科学院长春物理研究所	12	90	7.0	9.0
3	袁剑峰	中国科学院长春物理研究所	2	1	1.0	1.0
5	柳江虹	中国科学院长春物理研究所	3	10	2.0	3.0
13	梁庆成	中国科学院长春物理研究所	1	1	1.0	1.0