MEMS工艺中反应离子深刻蚀硅片的数值模型研究

• 作者: 张鉴 李伟华 黄庆安
• 来源期刊: 传感技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 反应离子深刻蚀 表面演化算法 模型 仿真
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 微纳制造
• 页码范围: 1426-1429,1433
• 页数: 5页
• 分类号: TN4
• 字数: 2564字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-1699.2006.05.030

摘要

反应离子深刻蚀(DRIE)是目前MEMS加工中便捷有效的主流加工工艺之一.开发较为快捷有效的工艺仿真模型与工具,对于工艺的数值预报,有着重要的作用.通过对现有表面演化算法的比较,建立了一种基于单一表面演化算法的反应离子深刻蚀模型,有效地解决了运算效率、材料区分等问题及对原表面演化算法稳定性的改善,并对深刻蚀中的淀积模型进行了改进.与实验结果较为一致的模拟结果验证了本文模型的有效性.