反应离子深刻蚀中加强热传递和抑制Notching效应的方法

• 作者: 丁海涛 杨振川 闫桂珍
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 反应离子深刻蚀 热传递 notching效应
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 所属期刊栏目: 科研通信
• 页码范围: 1201-1204
• 分类号: TN405.98
• 字数: 2656字
• 语种: 中文

摘要

提出了一种在反应离子深刻蚀中既可以加强热传递又可以抑制notching效应的方法,尤其适用于含有细长梁结构的刻蚀.通过在硅结构的下表面溅射一薄层金属,以加强刻蚀过程中产生的热量的消散,降低了硅结构的温度.用有限元仿真和实验分别验证了该方法的有效性.同时,金属层也抑制了刻蚀离子所带电荷在绝缘介质层上的积累,防止了自建电场的产生,抑制了notching效应.该方法通过扫描电子显微镜的测量也得到了实验验证.加工了一个SOI梳齿驱动器,检验了本方法的有效性和适应性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨振川	北京大学微电子学研究院	6	85	4.0	6.0
2	闫桂珍	北京大学微电子学研究院	10	142	7.0	10.0
3	丁海涛	北京大学微电子学研究院	1	7	1.0	1.0