ICP体硅深刻蚀中侧壁形貌控制的研究

• 作者: 陈兢
• 来源期刊: 中国机械工程
• 学科: 工学
• 关键词: 微机电系统 电感耦合等离子(ICP)刻蚀 深反应离子刻蚀(DRIE) 侧壁形貌 Notching效应 Bowing效应
• 年，卷（期）: 2005,（z1）
• 所属期刊栏目: 微纳加工与测试及封装技术
• 页码范围: 476-478
• 页数: 3页
• 分类号: TN305.95
• 字数: 1410字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1004-132X.2005.z1.172

摘要

对影响电感耦合等离子(ICP)刻蚀侧壁形貌的工艺参数进行了分析,通过改变刻蚀/钝化周期、平板电极功率、钝化气体C4F8流量以及重叠周期等工艺参数,对侧壁的形貌进行调整.通过实验,得到了控制侧壁形貌正负的优化方案,并极大地减小了Bowing效应;提出一种消除Notching效应的新方法,并用于深槽隔离工艺,取得了很好的效果.