TFT 栅极绝缘层和非晶硅膜层的 ITO 污染对电学特性影响的研究

• 作者: 李升玄 王守坤 袁剑峰 邵喜斌 郭会斌 郭总杰
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 薄膜晶体管 化学气相沉积 栅极绝缘层 有源层 非晶硅膜 氧化铟锡 电学特性
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 所属期刊栏目: 器件物理及器件制备技术
• 页码范围: 930-936
• 页数: 7页
• 分类号: TN321.5
• 字数: 3232字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/YJYXS20153006.0930

摘要

本文对 TFT 在栅极绝缘层和非晶硅膜层沉积过程中，透明电极 ITO 成分对膜层的污染和 TFT 电学性质的影响进行分析研究。通过二次离子质谱分析和电学测试设备对样品进行分析。ITO 成分会对 PECVD 设备、栅极绝缘层和非晶硅膜层产生污染，并会影响 TFT 的电学特性。建议采用独立的 PECVD 设备完成 ITO 膜层上面的栅极绝缘层和非晶硅膜层的沉积，并且对设备进行周期性清洗，可降低 ITO 成分的污染和提高产品的电学性能。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭总杰		7	18	2.0	3.0
2	袁剑峰		12	32	4.0	4.0
3	邵喜斌		13	27	3.0	4.0
4	王守坤		3	8	2.0	2.0
5	郭会斌		3	10	2.0	3.0
6	李升玄		1	2	1.0	1.0