N+缓冲层对PT-IGBT通态压降影响的研究

• 作者: 关艳霞 凌宇
• 来源期刊: 电子设计工程
• 学科: 工学
• 关键词: Silvaco PT-IGBT N+缓冲层 通态压降 仿真
• 年，卷（期）: 2013,（7）
• 所属期刊栏目: 电力电子技术
• 页码范围: 191-193
• 页数: 3页
• 分类号: TN386.2
• 字数: 1092字
• 语种: 中文

摘要

N+缓冲层设计对PT-IGBT器件特性的影响至关重要.文中利用Silvaco软件对PT-IGBT的I-V特性进行仿真.提取相同电流密度下,不同N+缓冲层掺杂浓度PT-IGBT的通态压降,得到了通态压降随N+缓冲层掺杂浓度变化的曲线,该仿真结果与理论分析一致.对于PT-IGBT结构,N+缓冲层浓度及厚度存在最优值,只要合理的选取可以有效地降低通态压降.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	关艳霞	沈阳工业大学信息科学与工程学院	35	79	5.0	7.0
2	凌宇	沈阳工业大学信息科学与工程学院	2	3	1.0	1.0